Выпуски >Вестник Самарского государственного университета. Естественнонаучная серия > Вестник СамГУ № 3/2 (94) - 2012

Вестник СамГУ 2012. № 3/2 (94). С.7-11.

УДК 355/359:621.389

Леонович Г.И. Крутов А.Ф. Искольный Б.Б.

Фундаментальные и прикладные исследования - основа инновационных космических технологий


Аннотация. В статье дается краткий анализ процесса получения инновационных технологий и его связь с фундаментальными научными исследованиями. Описывается структура фундаментальных, поисковых, прогнозных исследований. Отмечается особая роль технологий космического сектора как одного из факторов технологического прогресса. Особое внимание уделяется взаимодействию Самарского государственного университета и «ЦСКБ-Прогресс». Подробно описываются некоторые инновационные исследования, которые проводятся в СамГУ под руководством Н.В. Латухиной, А.В. Булановой, А.Н. Комова.

Ключевые слова: инновационные технологии; космонавтика; фундаментальные исследования;

Библиографический список

  • 1. Стратегия национальной безопасности РФ до 2020 года. URL: http://www.nsnbr.ru/ strategiya_nb_rf.html.
  • 2. Федеральная космическая программа России на 2006-2015 годы. URL: http:// www.roscosmos.ru/main.php?id=24.
  • 3. Журавель Л.В., Латухина Н.В., Блытушкина Е.Ю. Влияние легирования редкоземельными элементами на структуру поверхностного слоя кремния // Известия вузов. Сер: Материалы электронной техники. 2004. Вып. 3. С. 72-74.
  • 4. Прогноз развития датчиков. Отчет исследования ожидаемого развития датчиков до 2015 г. // Датчики и системы. 2003. № 11. С. 59-62.
  • 5. Мультисенсорные волоконно-оптические преобразователи транспортных систем / Г.И. Леонович [и др.] // Известия Самарского научного центра РАН. Спец. вып.: Перспективы и направления развития транспортной системы. 2007. С. 125-129. Фундаментальные и прикладные исследования - основа инновационных космических технологий
  • 6. High Sensitivity Pressure Sensors Utilizing Advanced Polymer Coatings / S.T. Vohra [et al.] // U.S. Naval Research Laboratory, Code 5670Washington, DC 20375, 1999. 235 p.
  • 7. Чепурнов В.И., Сивакова К.П. Анализ точечного дефектообразования в гомогенной фазе SiC формирующейся в процессе эндотаксии гетероструктуры SiC/ Si // Вестник СамГУ. Естественнонаучная серия. 2006. № 9 (49). С. 72-91.

Выпуски