УДК 621.382

Чепурнов В.И.

Распределение точечных дефектов в Si-фазе, сопряженной с Sic-фазой, сформированной методом эндотаксии полупроводниковых гетероструктур

Аннотация. В данной статье показано, что гетероструктуры карбида кремния на кремниевых подложках являются перспективным материалом высокотемпературной и радиационно устойчивой электроники. Твердофазный процесс эндотаксии карбида кремния сопровождается химическим превращением Si-фазы в SiC-фазу в среде водорода и углеводородов при температуре 1360-1380 ◦C и нормальном давлении. Исследовано распределение тепловых собственных точечных дефектов различной природы в кремниевой подложке в зависимости от типа ее проводимости и в условиях изовалентного легирования углеродом.

Ключевые слова: точечный дефект; гетероструктура; гетероэндотаксия; карбид кремния на кремнии; легирующая примесь;

Библиографический список

• 1. Casady J.B., Jonson R.W. Status of silicon carbide (SiC) as a vide-bandgape semiconductor for high-temperature applications: a review // Solide-State Elektronics. 1996. V. 39. № 10. P. 1409-1422.
• 2. Мощные биполярные приборы на основе карбида кремния. Обзор / П.А. Иванов [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39. Вып. 8. С. 897-912.
• 3. Иванов А.М., Строкан Н.Б., Лебедев А.А. Радиационная стойкость широкозонного материала на примере SiС-детекторов ядерного излучения // Журнал технической физики. 2012. Т. 82. Вып. 4. С. 137-141.
• 4. Кайданов В.И., Немов С.А., Равич Ю.И. Самокомпенсация электрически активных примесей собственными дефектами в полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 1994. Т. 28. Вып. 3. С. 369-393.
• 5. Лебедев А.А. Центры с глубокими уровнями в карбиде кремния. Обзор // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33. Вып. 2. С. 129-155.
• 6. Медведев Н.И., Юрьева Н.И., Ивановский А.Л. Электронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. Вып. 11. С. 1281-1284.
• 7. Зубрилов А.С. Электрические свойства гетеропереходов 3С-SiC/Si // Физика и техника полупроводников. 1994. Т. 28. Вып. 10. С. 1742-1748.
• 8. Чепурнов В.И., Сивакова К.П. Анализ точечного дефектообразовния в гомогенной фазе SiC, формирующейся в процессе эндотаксии гетероструктуры SiC-Si // Вестник СамГУ. Естественнонаучная серия. 2006. № 9(49). С. 72-91.
• 9. Влияние легирующей примеси на распределение точечных дефектов в гетероструктуре SiC-Si / В.И. Чепурнов [и др.] // Вестник СамГУ. Естественнонаучная серия. 2008. № 6(65). С. 352-366.